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产品概述
SYN649系列移相器是由西安同步电子科技有限公司精心设计研发生产的系列射频微波可调移相器，采用数字程控移相技术和模拟电压调控移相技术，实现输入信号相位变化，频率范围覆盖1kHz～46GHz，高精度数字移相步进最高2.8125°,0～720°移相范围，具有连续相位调节，低损耗，成本较低，控制精度高，稳定性好，易于集成与控制，带宽特性好等特点。广泛的应用于雷达系统、微波通信系统、测量系统。
关键词：射频移相器,微波移相器,数字移相器,模拟移相器
产品功能
1) 数字移相步进最高2.8125°；
2) 移相范围最高覆盖0°～720°；
3) 频率范围覆盖1kHz～46GHz。
产品特点
a) 模拟移相器具有连续相位调节，低损耗，成本较低等特点；
b) 数字移相器具有相位控制精度高，稳定性好，易于集成与控制，带宽特性好。
典型应用
1) 相控阵天线系统：在相控阵雷达、卫星通信等领域，通过调整每个天线单元信号的相位，使波束能够灵活指向不同方向，实现波束的扫描和指向性控制，提高天线系统的增益、方向性和覆盖范围。
2) 通信系统：在5G等现代通信系统中，用于信号的相位调制和解调，提高数据传输速率、减少传输错误，还可用于多输入多输出（MIMO）技术中，优化信号路径，提升系统容量和性能。
3) 电子战与防御：可用于干扰敌方雷达和通信系统，通过产生特定相位的干扰信号，对敌方信号进行干扰和欺骗，也可用于自身雷达系统的抗干扰，通过调整信号相位来抑制干扰信号。
4) 微波测量系统：用于对微波信号的相位进行精确测量和调整，在微波网络分析仪、频谱分析仪等测量设备中，确保测量结果的准确性和可靠性。
技术指标
选型对比表（频率由低到高）
型号 | 频率范围 | 相位范围 | 分辨率 | 带内插损 | 控制方式 |
SYN649E | 1kHz～100kHz | 0°～ 360° | 连续可调 | 放大12dB | 机械调节 |
SYN649F | 10MHz～16MHz | 0°～ 360° | 0～12V | 1.8dB | 模拟控制 |
SYN649G | 25MHz～50MHz | 0°～ 360° | 0～15V | 2.5dB | 模拟控制 |
SYN649H | 35MHz～60MHz | 0°～ 220° | 0～15V | 1.5dB | 模拟控制 |
SYN649H1 | 80MHz～200MHz | 0°～ 180° | 0～12V | 1.5dB | 模拟控制 |
SYN649R | 90MHz～180MHz | 0°～ 360° | 0～15V | 2.5dB | 模拟控制 |
SYN649I | 100MHz～200MHz | 0°～ 180° | 0～12V | 1.5dB | 模拟控制 |
SYN649J | 150MHz～300MHz | 0°～ 180° | 0～15V | 1.5dB | 模拟控制 |
SYN649W | 300MHz～400MHz | 0°～ 180° | 0～12V | 1.6dB | 模拟控制 |
SYN649K | 400MHz～700MHz | 0°～ 180° | 0～12V | 1.6dB | 模拟控制 |
SYN649L | 700MHz～1GHz | 0°～ 180° | 0～12V | 1.4dB | 模拟控制 |
SYN649L1 | 800MHz～1.6GHz | 0°～ 360° | 0～15V | 2.8dB | 模拟控制 |
SYN649A | 1GHz～2.2GHz | 0°～ 360° | 1.4° | 放大10dB | 数字控制8bit |
SYN649N | 1GHz～2.8GHz | 0°～ 360° | 1.4° | 放大10dB | 拨码开关8bit |
SYN649B | 2GHz～6GHz | 0°～ 360° | 5.625° | 8dB | 数字控制6bit |
SYN649S | 2.1GHz～2.5GHz | 0°～ 180° | 0～12V | 3.0dB | 模拟控制 |
SYN649Q | 2.2GHz～5GHz | 0°～ 360° | 0～14V | 4.5dB | 模拟控制 |
SYN649V | 2.5GHz～3.2GHz | 0°～ 360° | 5.625° | 5.0dB | 数字控制6bit |
SYN649P | 3GHz～6GHz | 0°～ 360° | 5.625° | 放大5dB | 数字控制6bit |
SYN649T | 3GHz～6GHz | 0°～ 360° | 0～14V | 4.5dB | 模拟控制 |
SYN649T1 | 2GHz～7GHz | 0°～ 360° | 0～14V | 4dB | 模拟控制 |
SYN649T2 | 4GHz～8GHz | 0°～ 420° | 0～12V | 5dB | 模拟控制 |
SYN649C | 8GHz～12GHz | 0°～ 360° | 5.625° | 6.5dB | 数字控制6bit |
SYN649C1 | 8GHz～12.4GHz | 0°～ 600° | 0～5V | 6.5dB | 模拟控制 |
SYN649D | 6GHz～15GHz | 0°～ 600° | 0～5V | 7dB | 模拟控制 |
SYN649D1 | 6GHz～17GHz | 0°～ 360° | 0～5V | 6.5dB | 模拟控制 |
SYN649D2 | 10GHz～18GHz | 0°～ 390° | 0～12V | 9.5dB | 模拟控制 |
SYN649D3 | 6GHz～18GHz | 0°～ 720° | 0～15V | 10dB | 模拟控制 |
SYN649D4 | 6GHz～18GHz | 0°～ 360° | 0～15V | 5dB | 模拟控制 |
SYN649D5 | 6GHz～18GHz | 0°～ 360° | 2.8125° | 18dB | 数字控制7bit |
SYN649D6 | 6GHz～18GHz | 0°～ 360° | 5.625° | 12dB | 数字控制6bit |
SYN649D7 | 2GHz～18GHz | 0°～ 360° | 5.625° | 13dB | 数字控制6bit |
SYN649D8 | DC～18GHz | 0°～ 40°/GHz | 连续可调 | 0.8dB | 机械调节 |
SYN649D9 | DC～20GHz | 0°～ 40°/GHz | 连续可调 | 1.5dB | 机械调节 |
SYN649D10 | DC～26.5GHz | 0°～ 40°/GHz | 连续可调 | 1.5dB | 机械调节 |
SYN649D11 | 18GHz～26.5GHz | 0°～ 360° | 0～16V | 5dB | 模拟控制 |
SYN649D12 | 24GHz～29.5GHz | 0°～ 360° | 5.625° | 10dB | 数字控制6bit |
SYN649D13 | DC～30GHz | 0°～ 40°/GHz | 连续可调 | 1.65dB | 机械调节 |
SYN649D14 | 24GHz～31GHz | 0°～ 360° | 0～14V | 9dB | 模拟控制 |
SYN649D15 | 29GHz～32GHz | 0°～ 360° | 5.625° | 10dB | 数字控制6bit |
SYN649D16 | 30GHz～40GHz | 0°～ 360° | 5.625° | 10dB | 数字控制6bit |
SYN649D17 | 18GHz～40GHz | 0°～ 360° | 5.625° | 13dB | 数字控制6bit |
SYN649D18 | 42GHz～46GHz | 0°～ 360° | 5.625° | 10dB | 数字控制6bit |
详细指标
SYN649A型移相器
型号 | SYN651A1 | ||
输入频率 | 1GHz～2.2GHz（实测1GHz～3GHz） | 最大输入功率 | +20dBm |
移相范围 | 0°～ 360° | 传输增益 | 内置放大器，放大10dB |
分辨率 | 1.4° | DC供电 | +5VDC，约100mA |
控制方式 | 数字控制，并行8bit | 重量 | 100g |
物理接头 | SMA-F母头 | 尺寸 | 58*46*17mm(不含接头) |
环境特性 | 工作温度0℃～＋50℃，存储温度-30℃～＋70℃，相对湿度≤90%（40℃） | ||
SYN649B型移相器
型号 | SYN649B | ||
输入频率 | 2GHz～6GHz | 最大输入功率 | +31dBm |
移相范围 | 0°～ 360° | 带内插损 | 8dB(典型值) |
分辨率 | 5.625° | DC供电 | ±5VDC，约100mA |
控制方式 | 数字控制，并行6bit | 重量 | 100g |
物理接头 | SMA-F母头 | 尺寸 | 66*66*27mm（不含接头） |
环境特性 | 工作温度0℃～＋50℃，存储温度-30℃～＋70℃，相对湿度≤90%（40℃） | ||
SYN649C型移相器
型号 | SYN649C | ||
输入频率 | 8GHz～12GHz | 最大输入功率 | ＋20dBm |
移相范围 | 0°～ 360° | 带内插损 | 6.5dB(典型值) |
分辨率 | 5.625° | 驻波VSWR | 2.0(典型值) |
控制方式 | 数字控制，并行6bit | 重量 | 100g |
物理接头 | SMA-F母头 | 尺寸 | 50*45*18.5mm(不含接头) |
环境特性 | 工作温度0℃～＋50℃，存储温度-30℃～＋70℃，相对湿度≤90%（40℃） | ||
SYN649C1型移相器
型号 | SYN649C1 | ||
输入频率 | 8GHz～12.4GHz | 最大输入功率 | ＋24dBm |
移相范围 | 0°～ 600° | 带内插损 | 6.5dB(典型值) |
驻波VSWR | 2.0(典型值) | DC供电 | ±5VDC，约100mA |
控制方式 | 模拟控制，压控0～5V | 重量 | 40g |
物理接头 | SMA-F母头 | 尺寸 | 28.5*23*12.5mm(不含接头) |
环境特性 | 工作温度0℃～＋50℃，存储温度-30℃～＋70℃，相对湿度≤90%（40℃） | ||
SYN649D型移相器
型号 | SYN649D | ||
输入频率 | 6GHz～15GHz | 最大输入功率 | ＋25dBm |
移相范围 | 6GHz～10GHz；≥600° 0～15G；≥360° | 带内插损 | 7dB(典型值) |
控制方式 | 模拟控制，压控0～5V | 重量 | 100g |
物理接头 | SMA-F母头 | 尺寸 | 30*19*10mm(不含接头) |
环境特性 | 工作温度0℃～＋50℃，存储温度-30℃～＋70℃，相对湿度≤90%（40℃） | ||
SYN649D1型移相器
型号 | SYN649D1 | ||
输入频率 | 6GHz～17GHz | 最大输入功率 | ＋24dBm |
移相范围 | 0°～ 360° | 带内插损 | 6.5dB(典型值) |
驻波VSWR | 2.0(典型值) | 阻抗 | 50Ω |
控制方式 | 模拟控制，压控0～5V | 重量 | 40g |
物理接头 | SMA-F母头 | 尺寸 | 28.5*23*12.5mm(不含接头) |
环境特性 | 工作温度0℃～＋50℃，存储温度-30℃～＋70℃，相对湿度≤90%（40℃） | ||
SYN649D2型移相器
型号 | SYN649D2 | ||
输入频率 | 10GHz～18GHz | 最大输入功率 | ＋24dBm |
移相范围 | 0°～ 390° | 带内插损 | 9.5dB(典型值) |
驻波VSWR | 2.0(典型值) | 阻抗 | 50Ω |
控制方式 | 模拟控制，压控0～12V | 重量 | 40g |
物理接头 | SMA-F母头 | 尺寸 | 29*20*12mm(不含接头) |
环境特性 | 工作温度-40℃～＋85℃，存储温度-55℃～＋100℃，相对湿度≤90%（40℃） | ||
SYN649D3型移相器
型号 | SYN649D3 | ||
输入频率 | 6GHz～18GHz | 最大输入功率 | ＋15dBm |
移相范围 | 0°～ 720° | 带内插损 | 10dB(典型值) |
驻波VSWR | 2.0(典型值) | 阻抗 | 50Ω |
控制方式 | 模拟控制，压控0～15V | 重量 | 80g |
物理接头 | SMA-F母头 | 尺寸 | 45*25*14mm(不含接头) |
环境特性 | 工作温度-40℃～＋85℃，存储温度-55℃～＋100℃，相对湿度≤90%（40℃） | ||
SYN649D4型移相器
型号 | SYN649D4 | ||
输入频率 | 6GHz～18GHz | 最大输入功率 | ＋15dBm |
移相范围 | 0°～ 360° | 带内插损 | 5dB(典型值) |
驻波VSWR | 2.0(典型值) | 阻抗 | 50Ω |
控制方式 | 模拟控制，压控0～15V | 重量 | 80g |
物理接头 | SMA-F母头 | 尺寸 | 30*26*11mm(不含接头) |
环境特性 | 工作温度-40℃～＋85℃，存储温度-55℃～＋100℃，相对湿度≤90%（40℃） | ||
SYN649D5型移相器
型号 | SYN649D5 | ||
输入频率 | 6GHz～18GHz | 最大输入功率 | ＋23dBm |
移相范围 | 0°～ 360° | 带内插损 | 18dB(典型值) |
分辨率 | 2.8125° | DC供电 | -5V，约10mA |
驻波VSWR | 2.0(典型值) | 阻抗 | 50Ω |
程控方式 | 数字控制，并行7bit TTL控制电平3V～5V | 重量 | 80g |
物理接头 | SMA-F母头 | 尺寸 | 30*26*11mm(不含接头) |
环境特性 | 工作温度-40℃～＋85℃，存储温度-55℃～＋100℃，相对湿度≤90%（40℃） | ||
SYN649D6型移相器
型号 | SYN649D6 | ||
输入频率 | 6GHz～18GHz | 最大输入功率 | ＋23dBm |
移相范围 | 0°～ 360° | 带内插损 | 12dB(典型值) |
分辨率 | 5.625° | DC供电 | -5V，约10mA |
驻波VSWR | 2.0(典型值) | 阻抗 | 50Ω |
程控方式 | 数字控制，并行6bit TTL控制电平3V～5V | 重量 | 80g |
物理接头 | SMA-F母头 | 尺寸 | 30*26*11mm(不含接头) |
环境特性 | 工作温度-40℃～＋85℃，存储温度-55℃～＋100℃，相对湿度≤90%（40℃） | ||
SYN649D7型移相器
型号 | SYN649D7 | ||
输入频率 | 2GHz～18GHz | 最大输入功率 | ＋20dBm |
移相范围 | 0°～ 360° | 带内插损 | 13dB(典型值) |
分辨率 | 5.625° | DC供电 | +5V/60mA，-5V/5mA |
驻波VSWR | 2.0(典型值) | 阻抗 | 50Ω |
程控方式 | 数字控制，并行6bit TTL控制电平3V～5V | 重量 | 80g |
物理接头 | SMA-F母头 | 尺寸 | 45*25*14mm(不含接头) |
环境特性 | 工作温度-40℃～＋85℃，存储温度-55℃～＋100℃，相对湿度≤90%（40℃） | ||
SYN649D8型移相器
型号 | SYN649D8 | ||
输入频率 | DC～18GHz | 最大输入功率 | 50W |
移相范围 | 0°～ 40°/GHz | 带内插损 | 0.8dB(典型值) |
最大移相范围 | 0°～ 720° | 可调时延 | 0～420ps（典型值） |
驻波VSWR | 1.25(典型值) | 阻抗 | 50Ω |
控制方式 | 机械调节 | 重量 | 80g |
物理接头 | SMA-F母头 | 尺寸 | 26*26*7mm(不含接头) |
环境特性 | 工作温度-40℃～＋85℃，存储温度-55℃～＋100℃，相对湿度≤90%（40℃） | ||
SYN649D9型移相器
型号 | SYN649D9 | ||
输入频率 | DC～20GHz | 最大输入功率 | 50W |
移相范围 | 0°～ 40°/GHz | 带内插损 | 1.5dB(典型值) |
最大移相范围 | 0°～ 800° | 可调时延 | 0～110ps（典型值） |
驻波VSWR | 1.45(典型值) | 阻抗 | 50Ω |
控制方式 | 机械调节 | 重量 | 80g |
物理接头 | SMA-F母头 | 尺寸 | 26*26*7mm(不含接头) |
环境特性 | 工作温度-40℃～＋85℃，存储温度-55℃～＋100℃，相对湿度≤90%（40℃） | ||
SYN649D10型移相器
型号 | SYN649D10 | ||
输入频率 | DC～26.5GHz | 最大输入功率 | 50W |
移相范围 | 0°～ 40°/GHz | 带内插损 | 1.5dB(典型值) |
最大移相范围 | 0°～ 1060° | 可调时延 | 0～110ps（典型值） |
驻波VSWR | 1.5(典型值) | 阻抗 | 50Ω |
控制方式 | 机械调节 | 重量 | 80g |
物理接头 | SMA-F母头 | 尺寸 | 26*26*7mm(不含接头) |
环境特性 | 工作温度-40℃～＋85℃，存储温度-55℃～＋100℃，相对湿度≤90%（40℃） | ||
SYN649D11型移相器
型号 | SYN649D11 | ||
输入频率 | 18GHz～26.5GHz | 最大输入功率 | ＋15dBm |
移相范围 | 0°～ 360° | 带内插损 | 5dB(典型值) |
控制方式 | 模拟控制，压控0～16V | 重量 | 80g |
物理接头 | SMA-F母头 | 尺寸 | 20*20*10mm(不含接头) |
环境特性 | 工作温度-40℃～＋85℃，存储温度-55℃～＋100℃，相对湿度≤90%（40℃） | ||
SYN649D12型移相器
型号 | SYN649D12 | ||
输入频率 | 24GHz～29.5GHz | 最大输入功率 | ＋20dBm |
移相范围 | 0°～ 360° | 带内插损 | 10dB(典型值) |
分辨率 | 5.625° | DC供电 | -5V，约10mA |
程控方式 | 数字控制，并行6bit TTL控制电平3V～5V | 重量 | 50g |
物理接头 | 2.92mm-F母头 | 尺寸 | 30*26*11mm(不含接头) |
环境特性 | 工作温度-40℃～＋85℃，存储温度-55℃～＋100℃，相对湿度≤90%（40℃） | ||
SYN649D13型移相器
型号 | SYN649D13 | ||
输入频率 | DC～30GHz | 最大输入功率 | 50W |
移相范围 | 0°～ 40°/GHz | 带内插损 | 1.65dB(典型值) |
最大移相范围 | 0°～ 1200° | 可调时延 | 0～110ps（典型值） |
控制方式 | 机械调节 | 重量 | 80g |
物理接头 | SMA-F母头 | 尺寸 | 26*26*7mm(不含接头) |
环境特性 | 工作温度-40℃～＋85℃，存储温度-55℃～＋100℃，相对湿度≤90%（40℃） | ||
SYN649D14型移相器
型号 | SYN649D14 | ||
输入频率 | 24GHz～31GHz | 最大输入功率 | ＋15dBm |
移相范围 | 0°～ 360° | 带内插损 | 9dB(典型值) |
控制方式 | 模拟控制，压控0～14V | 重量 | 80g |
物理接头 | 2.92mm-F母头 | 尺寸 | 20*20*10mm(不含接头) |
环境特性 | 工作温度-40℃～＋85℃，存储温度-55℃～＋100℃，相对湿度≤90%（40℃） | ||
SYN649D15型移相器
型号 | SYN649D15 | ||
输入频率 | 29GHz～32GHz | 最大输入功率 | ＋20dBm |
移相范围 | 0°～ 360° | 带内插损 | 10dB(典型值) |
分辨率 | 5.625° | DC供电 | -5V，约10mA |
程控方式 | 数字控制，并行6bit TTL控制电平3V～5V | 重量 | 80g |
物理接头 | 2.92mm-F母头 | 尺寸 | 30*26*11mm(不含接头) |
环境特性 | 工作温度-40℃～＋85℃，存储温度-55℃～＋100℃，相对湿度≤90%（40℃） | ||
SYN649D16型移相器
型号 | SYN649D16 | ||
输入频率 | 30GHz～40GHz | 最大输入功率 | ＋20dBm |
移相范围 | 0°～ 360° | 带内插损 | 10dB(典型值) |
分辨率 | 5.625° | DC供电 | -5V，约10mA |
程控方式 | 数字控制，并行6bit TTL控制电平3V～5V | 重量 | 50g |
物理接头 | 2.92mm-F母头 | 尺寸 | 30*26*11mm(不含接头) |
环境特性 | 工作温度-40℃～＋85℃，存储温度-55℃～＋100℃，相对湿度≤90%（40℃） | ||
SYN649D17型移相器
型号 | SYN649D17 | ||
输入频率 | 18GHz～40GHz | 最大输入功率 | ＋20dBm |
移相范围 | 0°～ 360° | 带内插损 | 13dB(典型值) |
分辨率 | 5.625° | DC供电 | -5V，约10mA |
程控方式 | 数字控制，并行6bit TTL控制电平3V～5V | 重量 | 50g |
物理接头 | 2.92mm-F母头 | 尺寸 | 30*26*11mm(不含接头) |
环境特性 | 工作温度-40℃～＋85℃，存储温度-55℃～＋100℃，相对湿度≤90%（40℃） | ||
SYN649D18型移相器
型号 | SYN649D18 | ||
输入频率 | 42GHz～46GHz | 最大输入功率 | ＋20dBm |
移相范围 | 0°～ 360° | 带内插损 | 10dB(典型值) |
分辨率 | 5.625° | DC供电 | -5V，约10mA |
程控方式 | 数字控制，并行6bit TTL控制电平3V～5V | 重量 | 50g |
物理接头 | 2.4mm-F母头 | 尺寸 | 30*26*11mm(不含接头) |
环境特性 | 工作温度-40℃～＋85℃，存储温度-55℃～＋100℃，相对湿度≤90%（40℃） | ||
SYN649E型移相器
型号 | SYN649E | 最大输入功率 | ＋10dBm |
输入频率 | 1kHz～100kHz | 传输增益 | 放大12dB |
移相范围 | 0°～ 360° | DC供电 | ±5V，约100mA |
控制方式 | 机械调节，内置电位器控制 | 重量 | 100g |
物理接头 | SMA-F母头 | 尺寸 | 50*45*18.5mm（不含接头） |
环境特性 | 工作温度0℃～＋50℃，存储温度-30℃～＋70℃，相对湿度≤90%（40℃） | ||
SYN649F型移相器
型号 | SYN649F | 最大输入功率 | ＋24dBm |
输入频率 | 10MHz～16MHz | 带内插损 | 1.8dB |
移相范围 | 0°～ 360° | 驻波比 | 1.2（典型值） |
控制方式 | 模拟控制，压控0～12V | 重量 | 100g |
物理接头 | SMA-F母头 | 尺寸 | 66*66*27mm（不含接头） |
环境特性 | 工作温度0℃～＋50℃，存储温度-30℃～＋70℃，相对湿度≤90%（40℃） | ||
SYN649G型移相器
型号 | SYN649G | 最大输入功率 | ＋24dBm |
输入频率 | 25MHz～50MHz | 带内插损 | 2.5dB(典型值) |
移相范围 | 0°～ 360° | 驻波比 | 1.4（典型值） |
控制方式 | 模拟控制，压控0～15V | 重量 | 100g |
物理接头 | SMA-F母头 | 尺寸 | 66*66*27mm（不含接头） |
环境特性 | 工作温度0℃～＋50℃，存储温度-30℃～＋70℃，相对湿度≤90%（40℃） | ||
SYN649H型移相器
型号 | SYN649H | 最大输入功率 | ＋20dBm |
输入频率 | 35MHz～60MHz | 带内插损 | 1.5dB(典型值) |
移相范围 | 0°～ 220° | 驻波比 | 1.5（典型值） |
控制方式 | 模拟控制，压控0～15V | 重量 | 100g |
物理接头 | SMA-F母头 | 尺寸 | 50*45*18.5mm（不含接头） |
环境特性 | 工作温度0℃～＋50℃，存储温度-30℃～＋70℃，相对湿度≤90%（40℃） | ||
SYN649H1型移相器
型号 | SYN649H1 | 最大输入功率 | ＋20dBm |
输入频率 | 80MHz～200MHz | 带内插损 | 1.5dB(典型值) |
移相范围 | 0°～ 180° | 驻波比 | 1.4（典型值） |
控制方式 | 模拟控制，压控0～12V | 重量 | 100g |
物理接头 | SMA-F母头 | 尺寸 | 50*31*14mm（不含接头） |
环境特性 | 工作温度0℃～＋50℃，存储温度-30℃～＋70℃，相对湿度≤90%（40℃） | ||
SYN649I型移相器
型号 | SYN649I | 最大输入功率 | ＋20dBm |
输入频率 | 100MHz～200MHz | 带内插损 | 1.5dB(典型值) |
移相范围 | 0°～ 180° | 驻波比 | 1.4（典型值） |
控制方式 | 模拟控制，压控0～12V | 重量 | 100g |
物理接头 | SMA-F母头 | 尺寸 | 50*45*18.5mm（不含接头） |
环境特性 | 工作温度0℃～＋50℃，存储温度-30℃～＋70℃，相对湿度≤90%（40℃） | ||
SYN649J型移相器
型号 | SYN649J | 最大输入功率 | ＋20dBm |
输入频率 | 150MHz～300MHz | 带内插损 | 1.5dB(典型值) |
移相范围 | 0°～ 180° | 驻波比 | 1.6（典型值） |
控制方式 | 模拟控制，压控0～15V | 重量 | 100g |
物理接头 | SMA-F母头 | 尺寸 | 52*30*12mm（不含接头） |
环境特性 | 工作温度-40℃～＋85℃，存储温度-55℃～＋100℃，相对湿度≤90%（40℃） | ||
SYN649K型移相器
型号 | SYN649K | 最大输入功率 | ＋20dBm |
输入频率 | 400MHz～700MHz | 带内插损 | 1.6dB(典型值) |
移相范围 | 0°～ 180° | 驻波比 | 1.4（典型值） |
控制方式 | 模拟控制，压控0～12V | 重量 | 100g |
物理接头 | SMA-F母头 | 尺寸 | 52*30*12mm（不含接头） |
环境特性 | 工作温度-40℃～＋85℃，存储温度-55℃～＋100℃，相对湿度≤90%（40℃） | ||
SYN649L型移相器
型号 | SYN649L | 最大输入功率 | ＋20dBm |
输入频率 | 700MHz～1GHz | 带内插损 | 1.4dB(典型值) |
移相范围 | 0°～ 180° | 驻波比 | 1.4（典型值） |
控制方式 | 模拟控制，压控0～12V | 重量 | 100g |
物理接头 | SMA-F母头 | 尺寸 | 52*30*12mm（不含接头） |
环境特性 | 工作温度0℃～＋50℃，存储温度-30℃～＋70℃，相对湿度≤90%（40℃） | ||
SYN649L1型移相器
型号 | SYN649L1 | 最大输入功率 | ＋20dBm |
输入频率 | 800MHz～1.6GHz | 带内插损 | 2.8dB(典型值) |
移相范围 | 0°～ 360° | 驻波比 | 1.2（典型值） |
控制方式 | 模拟控制，压控0～15V 控制带宽≤50kHz | 重量 | 100g |
物理接头 | SMA-F母头 | 尺寸 | 50*45*18.5mm（不含接头） |
环境特性 | 工作温度0℃～＋50℃，存储温度-30℃～＋70℃，相对湿度≤90%（40℃） | ||
SYN649N型移相器
型号 | SYN649N | 最大输入功率 | ＋25dBm |
输入频率 | 1GHz～2.8GHz | 传输增益 | 放大10dB(典型值) |
移相范围 | 0°～ 360° | 驻波比 | 1.2（典型值） |
分辨率 | 1.4° | 供电 | +5VDC |
控制方式 | 数字控制，并行8bit （拨码开关调节） | 重量 | 100g |
物理接头 | SMA-F母头 | 尺寸 | 60*50*20mm（不含接头） |
环境特性 | 工作温度0℃～＋50℃，存储温度-30℃～＋70℃，相对湿度≤90%（40℃） | ||
SYN649P型移相器
型号 | SYN649P | 最大输入功率 | +30dBm |
输入频率 | 3GHz～6GHz | 传输增益 | 放大5dB(典型值) |
移相范围 | 0°～ 360° | 驻波比 | 1.5（典型值） |
分辨率 | 5.625° | 供电 | ±5VDC，约5mA |
控制方式 | 数字控制，并行6bit TTL控制电平3V～5V | 重量 | 100g |
物理接头 | SMA-F母头 | 尺寸 | 50*30*14mm（不含接头） |
环境特性 | 工作温度0℃～＋50℃，存储温度-30℃～＋70℃，相对湿度≤90%（40℃） | ||
SYN649Q型移相器
型号 | SYN649Q | 最大输入功率 | +30dBm |
输入频率 | 2.2GHz～5GHz | 带内插损 | 4.5dB（典型值） |
移相范围 | 0°～ 360° | 切换时间 | 240ns |
移相灵敏度 | 30°/V | 供电 | ±5VDC，约5mA |
控制方式 | 模拟控制，压控0～14V | 重量 | 100g |
物理接头 | SMA-F母头 | 尺寸 | 29*19*11mm（不含接头） |
环境特性 | 工作温度0℃～＋50℃，存储温度-30℃～＋70℃，相对湿度≤90%（40℃） | ||
SYN649R型移相器
型号 | SYN649R | 最大输入功率 | +24dBm |
输入频率 | 90MHz～180MHz | 带内插损 | 2.5dB（典型值） |
移相范围 | 0°～ 360° | 驻波比 | 1.7（典型值） |
控制方式 | 模拟控制，压控0～15V | 重量 | 100g |
物理接头 | SMA-F母头 | 尺寸 | 66*66*27mm（不含接头） |
环境特性 | 工作温度0℃～＋50℃，存储温度-30℃～＋70℃，相对湿度≤90%（40℃） | ||
SYN649S型移相器
型号 | SYN649S | 最大输入功率 | +20dBm |
输入频率 | 2.1GHz～2.5GHz | 带内插损 | 3.0dB(典型值) |
移相范围 | 0°～ 180° | 驻波比 | 1.5（典型值） |
控制方式 | 模拟控制，压控0～12V | 重量 | 100g |
物理接头 | SMA-F母头 | 尺寸 | 50*45*18.5mm（不含接头） |
环境特性 | 工作温度0℃～＋50℃，存储温度-30℃～＋70℃，相对湿度≤90%（40℃） | ||
SYN649T型移相器
型号 | SYN649T | 最大输入功率 | +20dBm |
输入频率 | 3GHz～6GHz | 带内插损 | 4.5dB（典型值） |
移相范围 | 0°～ 360° | 驻波比 | 1.45（典型值） |
移相灵敏度 | 26°/V | 切换时间 | 250ns |
控制方式 | 模拟控制，压控0～14V | 重量 | 100g |
物理接头 | SMA-F母头 | 尺寸 | 29*19*11mm（不含接头） |
环境特性 | 工作温度0℃～＋50℃，存储温度-30℃～＋70℃，相对湿度≤90%（40℃） | ||
SYN649T1型移相器
型号 | SYN649T1 | 最大输入功率 | +15dBm |
输入频率 | 2GHz～7GHz | 带内插损 | 4.0dB（典型值） |
移相范围 | 0°～ 360° | 驻波比 | 1.45（典型值） |
控制方式 | 模拟控制，压控0～14V | 重量 | 100g |
物理接头 | SMA-F母头 | 尺寸 | 60*50*20mm（不含接头） |
环境特性 | 工作温度0℃～＋50℃，存储温度-30℃～＋70℃，相对湿度≤90%（40℃） | ||
SYN649T2型移相器
型号 | SYN649T2 | 最大输入功率 | +10dBm |
输入频率 | 4GHz～8GHz | 带内插损 | 5.0dB（典型值） |
移相范围 | 0°～ 420° | 驻波比 | 1.5（典型值） |
控制方式 | 模拟控制，压控0～12V | DC供电 | ±5VDC，约100mA |
阻抗 | 50Ω | 重量 | 100g |
物理接头 | SMA-F母头 | 尺寸 | 28*19*11mm（不含接头） |
环境特性 | 工作温度0℃～＋50℃，存储温度-30℃～＋70℃，相对湿度≤90%（40℃） | ||
SYN649V型移相器
型号 | SYN649V | 最大输入功率 | +31dBm |
输入频率 | 2.5GHz～3.2GHz | 带内插损 | 5.0dB（典型值） |
移相范围 | 0°～ 360° | 分辨率 | 5.625° |
控制方式 | 数字控制，并行6bit TTL电平3V～5V | 供电 | +5VDC |
阻抗 | 50Ω | 重量 | 100g |
物理接头 | SMA-F母头 | 尺寸 | 60*50*20mm（不含接头） |
环境特性 | 工作温度0℃～＋50℃，存储温度-30℃～＋70℃，相对湿度≤90%（40℃） | ||
SYN649W型移相器
型号 | SYN649W | 最大输入功率 | +20dBm |
输入频率 | 300MHz～400MHz | 带内插损 | 1.6dB（典型值） |
移相范围 | 0°～ 180° | 驻波比 | 1.4（典型值） |
控制方式 | 模拟控制，压控0～12V | 重量 | 100g |
物理接头 | SMA-F母头 | 尺寸 | 50*45*18.5mm（不含接头） |
环境特性 | 工作温度0℃～＋50℃，存储温度-30℃～＋70℃，相对湿度≤90%（40℃） | ||
产品分类：射频微波模块